casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SIDC03D120H6X1SA3
codice articolo del costruttore | SIDC03D120H6X1SA3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIDC03D120H6X1SA3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIDC03D120H6X1SA3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDC03D120H6X1SA3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIDC03D120H6X1SA3-FT |
SB560-A-01
Diodes Incorporated
SB560-B
Diodes Incorporated
SB560-T-01
Diodes Incorporated
SB560B
Diodes Incorporated
SBAS16XV2T5G
ON Semiconductor
SBAT54XV2T5G
ON Semiconductor
SBE801-TL-H
ON Semiconductor
SBH15-03-TR-E
ON Semiconductor
SBLB1030-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation