casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SICRF10650
codice articolo del costruttore | SICRF10650 |
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Numero di parte futuro | FT-SICRF10650 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SICRF10650 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 695pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRF10650 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SICRF10650-FT |
STTH60L04W
STMicroelectronics
STTH8006W
STMicroelectronics
SPV1001D40
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SPV1001D40TR
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SPV1002D40
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SPV1002D40TR
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LCMXO2280E-3TN100I
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M2GL090-FCSG325I
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LCMXO2280E-3FT256C
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LFE5U-85F-6BG756I
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5SGXEA7N2F40I3LN
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5SGXEA5H2F35I3
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XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
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EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
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