casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA419DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA419DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA419DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA419DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA419DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA419DJ-T1-GE3-FT |
SI9424BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9434BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9434BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ4080EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4401EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4431EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4470EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4840EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4850EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel