casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA417DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA417DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA417DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA417DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA417DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA417DJ-T1-GE3-FT |
SI9410BDY-T1-GE3
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SI9424BDY-T1-E3
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SI9424BDY-T1-GE3
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SI9434BDY-T1-E3
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SI9434BDY-T1-GE3
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SQ4080EY-T1_GE3
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SQ4401EY-T1_GE3
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SQ4410EY-T1_GE3
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SQ4431EY-T1_GE3
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SQ4470EY-T1_GE3
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