casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA413DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA413DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA413DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA413DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA413DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA413DJ-T1-GE3-FT |
SI4840DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4845DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4848DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4848DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850EY-T1
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation