casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8800EDB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8800EDB-T2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8800EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8800EDB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / caso | 4-XFBGA, CSPBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8800EDB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8800EDB-T2-E1-FT |
SIHJ7N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ438DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ494DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ454EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ463EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ848EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA80EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIJ186DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel