casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8467DB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8467DB-T2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8467DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8467DB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / caso | 4-XFBGA, CSPBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8467DB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8467DB-T2-E1-FT |
SQJ850EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIHJ7N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ438DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ494DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ454EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ463EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ848EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA80EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation