casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8457DB-T1-E1
codice articolo del costruttore | SI8457DB-T1-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8457DB-T1-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8457DB-T1-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
Pacchetto / caso | 4-UFBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8457DB-T1-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8457DB-T1-E1-FT |
SI3430DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3433BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3433BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3433CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3434DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3434DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3438DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3438DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3440ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3441BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel