casa / prodotti / isolatori / Isolatori - Gate driver / SI8275GBD-IS1
codice articolo del costruttore | SI8275GBD-IS1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8275GBD-IS1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SI8275GBD-IS1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tecnologia | Capacitive Coupling |
Numero di canali | 2 |
Tensione - Isolamento | 2500Vrms |
Immunità transitoria in modalità comune (min) | 200kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 75ns, 75ns |
Distorsione larghezza impulso (max) | 8ns |
Rise / Fall Time (Typ) | 10.5ns, 13.3ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 1.8A, 4A |
Corrente: picco di uscita | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | - |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | - |
Tensione - Fornitura | 4.2V ~ 30V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
approvazioni | CQC, CSA, UR, VDE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8275GBD-IS1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8275GBD-IS1-FT |
TLP5774(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP5754(D4-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP5754(E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP5751(D4,E
Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TLP5751(E
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TLP5751(D4-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP5751(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V40-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG676I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQ208
Microsemi Corporation
LAE5U-12F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
5AGXMB1G4F31I5
Intel
EP20K100EQI208-3
Intel