casa / prodotti / isolatori / Isolatori - Gate driver / SI8273ABD-IMR
codice articolo del costruttore | SI8273ABD-IMR |
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Numero di parte futuro | FT-SI8273ABD-IMR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SI8273ABD-IMR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tecnologia | Capacitive Coupling |
Numero di canali | 2 |
Tensione - Isolamento | 2500Vrms |
Immunità transitoria in modalità comune (min) | 200kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 75ns, 75ns |
Distorsione larghezza impulso (max) | 8ns |
Rise / Fall Time (Typ) | 10.5ns, 13.3ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 1.8A, 4A |
Corrente: picco di uscita | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | - |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | - |
Tensione - Fornitura | 4.6V ~ 30V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 14-VFLGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-LGA (5x5) |
approvazioni | CQC, CSA, UR, VDE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8273ABD-IMR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8273ABD-IMR-FT |
PS9553L3-AX
CEL
PS9553L3-E3-AX
CEL
TLP250(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP250LF1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP251(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP350(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP358(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP358H(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SI8235BB-D-IM1
Silicon Labs
M1A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1PQ208I
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP3SL50F484I3
Intel
5SGXEBBR1H43C2N
Intel
A42MX24-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFXP20C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-CM81
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C5
Intel