casa / prodotti / isolatori / Isolatori - Gate driver / SI8261BCC-C-IPR
codice articolo del costruttore | SI8261BCC-C-IPR |
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Numero di parte futuro | FT-SI8261BCC-C-IPR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SI8261BCC-C-IPR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tecnologia | Capacitive Coupling |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Immunità transitoria in modalità comune (min) | 35kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 60ns, 50ns |
Distorsione larghezza impulso (max) | 28ns |
Rise / Fall Time (Typ) | 5.5ns, 8.5ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 500mA, 1.2A |
Corrente: picco di uscita | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 30mA |
Tensione - Fornitura | 13.5V ~ 30V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP Gull Wing |
approvazioni | CQC, CSA, UR, VDE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8261BCC-C-IPR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8261BCC-C-IPR-FT |
TLP350(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(D4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP250(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP251(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP350H(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351H(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352F(D4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352F(D4-TP4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7N
Intel
EP3C55F484C6
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation