casa / prodotti / isolatori / Isolatori - Gate driver / SI8261ABC-C-IPR
codice articolo del costruttore | SI8261ABC-C-IPR |
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Numero di parte futuro | FT-SI8261ABC-C-IPR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SI8261ABC-C-IPR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tecnologia | Capacitive Coupling |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Immunità transitoria in modalità comune (min) | 35kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 60ns, 50ns |
Distorsione larghezza impulso (max) | 28ns |
Rise / Fall Time (Typ) | 5.5ns, 8.5ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 400mA, 600mA |
Corrente: picco di uscita | 600mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 30mA |
Tensione - Fornitura | 9.4V ~ 30V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP Gull Wing |
approvazioni | CQC, CSA, UR, VDE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8261ABC-C-IPR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8261ABC-C-IPR-FT |
TLP351(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP350(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(D4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP250(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP251(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP350H(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351H(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352F(D4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3FG900I
Xilinx Inc.
10M16DAF484C8G
Intel
EP4SGX360KF43I4N
Intel
XC2V1000-4BGG575I
Xilinx Inc.
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
5SGXMA3H2F35I2LN
Intel