casa / prodotti / isolatori / Isolatori - Gate driver / SI8261ABC-C-IPR
codice articolo del costruttore | SI8261ABC-C-IPR |
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Numero di parte futuro | FT-SI8261ABC-C-IPR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SI8261ABC-C-IPR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tecnologia | Capacitive Coupling |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 3750Vrms |
Immunità transitoria in modalità comune (min) | 35kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 60ns, 50ns |
Distorsione larghezza impulso (max) | 28ns |
Rise / Fall Time (Typ) | 5.5ns, 8.5ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 400mA, 600mA |
Corrente: picco di uscita | 600mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 30mA |
Tensione - Fornitura | 9.4V ~ 30V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP Gull Wing |
approvazioni | CQC, CSA, UR, VDE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8261ABC-C-IPR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8261ABC-C-IPR-FT |
TLP351(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP350(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(D4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP250(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP251(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP350H(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351H(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352F(D4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A3PN125-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EPF10K50SFC484-1N
Intel
5AGXBA1D4F27I5N
Intel
XC5VFX70T-2FFG665I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation