casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7686DP-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7686DP-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7686DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7686DP-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 37.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7686DP-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7686DP-T1-E3-FT |
SI7634BDP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7634BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7658ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR402DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR438DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR466DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7455DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7840BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7135DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7136DP-T1-E3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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