casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7463DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7463DP-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI7463DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7463DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7463DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7463DP-T1-GE3-FT |
SI7806ADN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS424DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA16DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS776DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7115DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7117DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7120ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7308DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7309DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel