casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7462DP-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7462DP-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI7462DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7462DP-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7462DP-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7462DP-T1-E3-FT |
SIRA06DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA12DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA18ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA62DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SI7374DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7892BDP-T1-E3
Vishay Siliconix
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation