casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7309DN-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7309DN-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7309DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7309DN-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7309DN-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7309DN-T1-E3-FT |
IRFU420PBF
Vishay Siliconix
IRFU9310PBF
Vishay Siliconix
IRFU9024PBF
Vishay Siliconix
IRFU420APBF
Vishay Siliconix
IRFU9010PBF
Vishay Siliconix
IRFU320PBF
Vishay Siliconix
IRFU1N60APBF
Vishay Siliconix
IRFU014PBF
Vishay Siliconix
IRFU9110PBF
Vishay Siliconix
IRFU024PBF
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
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Microsemi Corporation
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10AX016C3U19I2LG
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