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codice articolo del costruttore | SI7192DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7192DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7192DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7192DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7192DP-T1-GE3-FT |
SIR864DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR882ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA01DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA10DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA26DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA32DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA52DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRC18DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7172DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7431DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel