casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4943BDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4943BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4943BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4943BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4943BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4943BDY-T1-GE3-FT |
IRF7751TR
Infineon Technologies
IRF7751TRPBF
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IRF7752
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IRF7752GTRPBF
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IRF7752TR
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Infineon Technologies
IRF7754TRPBF
Infineon Technologies
XCV400-4FG676I
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
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EP3C25U256A7N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C4N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel