casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4599DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4599DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4599DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4599DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A, 5.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
Potenza - Max | 3W, 3.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4599DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4599DY-T1-GE3-FT |
SI6973DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6981DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6981DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6983DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6983DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6993DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6993DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMN2016UTS-13
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