casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4491EDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4491EDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4491EDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4491EDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4620pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4491EDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4491EDY-T1-GE3-FT |
SI4102DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4102DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4104DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4104DY-T1-GE3
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SI4108DY-T1-GE3
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SI4110DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4114DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4114DY-T1-GE3
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SI4116DY-T1-E3
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SI4124DY-T1-E3
Vishay Siliconix
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel