casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4390DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4390DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4390DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4390DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4390DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4390DY-T1-E3-FT |
RRH040P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH050P03GZETB
Rohm Semiconductor
RRH050P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH075P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH090P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH100P03TB1
Rohm Semiconductor
RRH140P03GZETB
Rohm Semiconductor
RRH140P03TB1
Rohm Semiconductor
RRS070N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS075P03TB1
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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