casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4276DY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4276DY-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4276DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4276DY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
Potenza - Max | 3.6W, 2.8W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4276DY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4276DY-T1-E3-FT |
IRF7754
Infineon Technologies
IRF7754GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7754TR
Infineon Technologies
IRF7754TRPBF
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IRF7755
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IRF7755GTRPBF
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IRF7755TR
Infineon Technologies
IRF7755TRPBF
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IRF7756
Infineon Technologies
IRF7756GTRPBF
Infineon Technologies
XCV400-4FG676I
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C4N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel