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codice articolo del costruttore | SI2324DS-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2324DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2324DS-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 234 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2324DS-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2324DS-T1-GE3-FT |
BSS138N E6908
Infineon Technologies
BSS138N E7854
Infineon Technologies
BSS138N E8004
Infineon Technologies
BSS138N-E6327
Infineon Technologies
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS138NL6433HTMA1
Infineon Technologies
BSS138_L99Z
ON Semiconductor
BSS139 E6327
Infineon Technologies
BSS139 E6906
Infineon Technologies
BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel