casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI2315BDS-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI2315BDS-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI2315BDS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2315BDS-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 715pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2315BDS-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2315BDS-T1-E3-FT |
SI1405DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1406DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1406DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1410EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1411DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1413EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1414DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel