casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1300BDL-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI1300BDL-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1300BDL-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1300BDL-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 250mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.84nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 35pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190mW (Ta), 200mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1300BDL-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1300BDL-T1-E3-FT |
SIB433EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB455EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB456DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB457EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB488DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB800EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA24DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA72DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7615CDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA34DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
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A42MX16-PQ208M
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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Intel