casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1013X-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1013X-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1013X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1013X-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1013X-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1013X-T1-GE3-FT |
NVC3S5A51PLZT1G
ON Semiconductor
CPH3462-TL-W
ON Semiconductor
MVMBF0201NLT1G
ON Semiconductor
NVR5198NLT1G
ON Semiconductor
6HP04CH-TL-W
ON Semiconductor
CPH3355-TL-W
ON Semiconductor
MGSF2N02ELT1G
ON Semiconductor
MVGSF1N02LT1G
ON Semiconductor
NTR3C21NZT1G
ON Semiconductor
NVR1P02T1G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel