casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / SGTB11N60R2DT4G
codice articolo del costruttore | SGTB11N60R2DT4G |
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Numero di parte futuro | FT-SGTB11N60R2DT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SGTB11N60R2DT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Potenza - Max | - |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | - |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SGTB11N60R2DT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SGTB11N60R2DT4G-FT |
IHW40N135R5XKSA1
Infineon Technologies
IHY15N120R3XKSA1
Infineon Technologies
IHY20N120R3XKSA1
Infineon Technologies
IHY20N135R3XKSA1
Infineon Technologies
IHY30N160R2XKSA1
Infineon Technologies
IKFW50N60ETXKSA1
Infineon Technologies
IKFW75N60ETXKSA1
Infineon Technologies
IKFW90N60EH3XKSA1
Infineon Technologies
IRG4BAC50W-S
Infineon Technologies
IRG4BAC50W-SPBF
Infineon Technologies
M1A3PE1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
10M50DAF484C6GES
Intel
EPF10K100EFC256-3
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
LCMXO640C-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31C7N
Intel
10AX057K2F40I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4N
Intel