casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / SGL60N90DG3TU
codice articolo del costruttore | SGL60N90DG3TU |
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Numero di parte futuro | FT-SGL60N90DG3TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SGL60N90DG3TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 180W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 260nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SGL60N90DG3TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SGL60N90DG3TU-FT |
SKW20N60HSFKSA1
Infineon Technologies
SKW25N120FKSA1
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IRGSL15B60KDPBF
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A54SX32A-1TQG144M
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LFXP3C-3TN144C
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XCV405E-6FG676I
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A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
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EP3C16E144C7
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EP4S100G3F45I3
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