casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SFF9250L
codice articolo del costruttore | SFF9250L |
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Numero di parte futuro | FT-SFF9250L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFF9250L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 6.3A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF9250L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF9250L-FT |
FQU7P06TU_NB82048
ON Semiconductor
FQU7P20TU
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FQU7P20TU_AM002
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FQU8N25TU
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LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
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EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
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5SGXEA5K1F35I2N
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XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
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