casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF502GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF502GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF502GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF502GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF502GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF502GHC0G-FT |
UH3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ060TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100GTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel