casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF2008G C0G
codice articolo del costruttore | SFF2008G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF2008G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFF2008G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF2008G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF2008G C0G-FT |
UH3CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel