casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1004GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF1004GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF1004GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1004GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1004GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1004GHC0G-FT |
SS36HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel