casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1003GAHC0G
codice articolo del costruttore | SFF1003GAHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF1003GAHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1003GAHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1003GAHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1003GAHC0G-FT |
SS35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel