casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFF1002GHC0G
codice articolo del costruttore | SFF1002GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFF1002GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1002GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1002GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFF1002GHC0G-FT |
SS34HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel