casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02
codice articolo del costruttore | SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 |
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Numero di parte futuro | FT-SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-26 |
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (pSLC) |
Dimensione della memoria | 16Gb (2G x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | eMMC |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 153-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 153-LFBGA (11.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02-FT |
W632GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB11I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel