casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA806GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA806GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA806GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA806GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA806GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA806GHC0G-FT |
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel