casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA805GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA805GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA805GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA805GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA805GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA805GHC0G-FT |
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSF01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DSR01S30SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel