casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA1002GHC0G
codice articolo del costruttore | SFA1002GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA1002GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFA1002GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA1002GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA1002GHC0G-FT |
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS404,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS367,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS403,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS521,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel