casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA1002G C0G
codice articolo del costruttore | SFA1002G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA1002G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFA1002G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA1002G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA1002G C0G-FT |
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS404,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS367,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS403,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS521,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation