casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SFA1002G C0G
codice articolo del costruttore | SFA1002G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SFA1002G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SFA1002G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFA1002G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SFA1002G C0G-FT |
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS404,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS367,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS403,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS521,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel