casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF41GHB0G
codice articolo del costruttore | SF41GHB0G |
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Numero di parte futuro | FT-SF41GHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF41GHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF41GHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF41GHB0G-FT |
1N5402GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5406G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5406GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5406GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5407G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5407GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel