casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF2L6GHB0G
codice articolo del costruttore | SF2L6GHB0G |
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Numero di parte futuro | FT-SF2L6GHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SF2L6GHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF2L6GHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF2L6GHB0G-FT |
1N5398G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5398GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5398GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5399G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5399GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A01G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A01G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A01GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A01GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A02G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel