casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SESD8008MUTAG
codice articolo del costruttore | SESD8008MUTAG |
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Numero di parte futuro | FT-SESD8008MUTAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SESD8008MUTAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 8 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.3V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.5V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 8.1V (Typ) |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 16A |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 0.3pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 14-PowerUFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-UDFN (5.5x1.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SESD8008MUTAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SESD8008MUTAG-FT |
UPT15E3/TR7
Microsemi Corporation
UPT15R/TR13
Microsemi Corporation
UPT15R/TR7
Microsemi Corporation
UPT15RE3/TR13
Microsemi Corporation
UPT15RE3/TR7
Microsemi Corporation
UPT17/TR13
Microsemi Corporation
UPT17/TR7
Microsemi Corporation
UPT17E3/TR13
Microsemi Corporation
UPT17E3/TR7
Microsemi Corporation
UPT17R/TR13
Microsemi Corporation
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel