casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SDT12S60
codice articolo del costruttore | SDT12S60 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SDT12S60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
SDT12S60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 12A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 450pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDT12S60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDT12S60-FT |
IDD09SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD10SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies
IDD15E60BUMA2
Infineon Technologies
SDD04S60
Infineon Technologies
SDP06S60
Infineon Technologies
SDP10S30
Infineon Technologies
HFA08TB60PBF
Infineon Technologies
IDH04G65C5XKSA2
Infineon Technologies
IDH02G120C5XKSA1
Infineon Technologies
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel