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codice articolo del costruttore | SDR6603-681M |
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Numero di parte futuro | FT-SDR6603-681M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR6603 |
SDR6603-681M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 680µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 120mA |
Corrente - Saturazione | 140mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 9.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 58 @ 796kHz |
Frequenza - Autorisonante | 3MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-681M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDR6603-681M-FT |
SRN6028-6R8M
Bourns Inc.
SRN6028-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-470M
Bourns Inc.
SRN5040-4R7M
Bourns Inc.
SRN5040-100M
Bourns Inc.
SRN5040-330M
Bourns Inc.
SRN5040-150M
Bourns Inc.
SRN5040-3R3M
Bourns Inc.
SRN5040-2R2Y
Bourns Inc.
SRN5040-220M
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel