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codice articolo del costruttore | SDR6603-330M |
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Numero di parte futuro | FT-SDR6603-330M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR6603 |
SDR6603-330M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 33µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 600mA |
Corrente - Saturazione | 580mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 510 mOhm Max |
Q @ Freq | 24 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 15MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-330M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDR6603-330M-FT |
SRN6028-680M
Bourns Inc.
SRN6028-R90Y
Bourns Inc.
SRN6028-6R2M
Bourns Inc.
SRN6028-6R8M
Bourns Inc.
SRN6028-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-470M
Bourns Inc.
SRN5040-4R7M
Bourns Inc.
SRN5040-100M
Bourns Inc.
SRN5040-330M
Bourns Inc.
SRN5040-150M
Bourns Inc.
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel