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codice articolo del costruttore | SDR6603-151M |
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Numero di parte futuro | FT-SDR6603-151M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR6603 |
SDR6603-151M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 150µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | 270mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 Ohm Max |
Q @ Freq | 41 @ 796kHz |
Frequenza - Autorisonante | 6MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.115" (2.92mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-151M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDR6603-151M-FT |
SRN5040-4R7M
Bourns Inc.
SRN5040-100M
Bourns Inc.
SRN5040-330M
Bourns Inc.
SRN5040-150M
Bourns Inc.
SRN5040-3R3M
Bourns Inc.
SRN5040-2R2Y
Bourns Inc.
SRN5040-220M
Bourns Inc.
SRN5040-270M
Bourns Inc.
SRN5040-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-6R8M
Bourns Inc.
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel