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codice articolo del costruttore | SDR1045-470M |
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Numero di parte futuro | FT-SDR1045-470M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR1045 |
SDR1045-470M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.6A |
Corrente - Saturazione | 1.85A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | 21 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 13.6MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.189" (4.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1045-470M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDR1045-470M-FT |
SDR2207-330YL
Bourns Inc.
SDR2207-561KL
Bourns Inc.
SDR2207-R80ML
Bourns Inc.
SDR2207-102KL
Bourns Inc.
SDR2207-680KL
Bourns Inc.
SDR2207-R78ML
Bourns Inc.
SDR2207-120YL
Bourns Inc.
SDR2207-121KL
Bourns Inc.
SDR2207-151KL
Bourns Inc.
SDR2207-181KL
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel