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codice articolo del costruttore | SDR1006-560K |
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Numero di parte futuro | FT-SDR1006-560K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR1006 |
SDR1006-560K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 56µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.15A |
Corrente - Saturazione | 2.1A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 190 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 7.5MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.386" L x 0.386" W (9.80mm x 9.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.228" (5.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1006-560K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDR1006-560K-FT |
SRN2512-R24M
Bourns Inc.
SRN2512-4R7M
Bourns Inc.
SRN2510-R47M
Bourns Inc.
SRN2510-2R2M
Bourns Inc.
SRN2510-R24M
Bourns Inc.
SRN2510-R68M
Bourns Inc.
SRN2510-1R0M
Bourns Inc.
SRN2012-R47M
Bourns Inc.
SRN2012-1R0M
Bourns Inc.
SRN2012-1R5M
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel