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codice articolo del costruttore | SDR1005-682KL |
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Numero di parte futuro | FT-SDR1005-682KL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDR1005 |
SDR1005-682KL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 6.8mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 110mA |
Corrente - Saturazione | 120mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 30 Ohm Max |
Q @ Freq | 105 @ 171kHz |
Frequenza - Autorisonante | 1MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.500" L x 0.394" W (12.70mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1005-682KL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDR1005-682KL-FT |
SDR1806-150ML
Bourns Inc.
SDR1806-470ML
Bourns Inc.
SDR1806-100ML
Bourns Inc.
SDR1806-331KL
Bourns Inc.
SDR1806-3R3ML
Bourns Inc.
SDR1806-680ML
Bourns Inc.
SDR1806-330ML
Bourns Inc.
SDR1806-471KL
Bourns Inc.
SDR1806-5R6ML
Bourns Inc.
SDR1806-1R0ML
Bourns Inc.
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel