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codice articolo del costruttore | SDER041H-3R3MS |
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Numero di parte futuro | FT-SDER041H-3R3MS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDER041H |
SDER041H-3R3MS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.75A |
Corrente - Saturazione | 2.2A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 56 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDER041H-3R3MS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SDER041H-3R3MS-FT |
LQW18AN6N8C0ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN6N8G80D
Murata Electronics North America
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LQW18ANR18J0ZD
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EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel